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摘要:
介绍了电子显微镜和二次离子质谱仪(SIMS)两种当前主要的微分析工具在四元InGaAlP发光二极管(LED)外延片分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用领域,指出两者有机的结合可以得到比较全面的分析结果,为工艺监控和工艺改进提供了参考.
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文献信息
篇名 InGaAlP外延片的微分析
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 电子显微镜 二次离子质谱 发光二极管 外延片
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 封装测试技术
研究方向 页码范围 32-34
页数 3页 分类号 TN304.82
字数 1727字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.12.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李越生 复旦大学材料科学系国家微分析中心 26 166 6.0 12.0
2 曹永明 复旦大学材料科学系国家微分析中心 14 64 4.0 7.0
3 樊华 复旦大学材料科学系国家微分析中心 8 53 4.0 7.0
4 曾伟 复旦大学材料科学系国家微分析中心 1 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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2005(0)
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2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电子显微镜
二次离子质谱
发光二极管
外延片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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