GaN基发光二极管的可靠性研究进展

• 作者: 刘斌 刘莹 宋颖娉 沈光地 艾伟伟 郭霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 发光二极管 退化机理 可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 161-165
• 页数: 5页
• 分类号: TN365
• 字数: 2646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.03.001

摘要

高效高亮度GaN基发光二极管(LED)在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广阔的应用前景,器件的可靠性是实现其广泛应用的保证.本文从封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与非辐射复合中心增加等方面介绍了GaN基LED的退化机理以及提高器件可靠性的措施,并对GaN基LED的应用前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	刘莹	北京工业大学光电子技术实验室	31	375	10.0	19.0
3	郭霞	北京工业大学光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
4	刘斌	北京工业大学光电子技术实验室	35	253	8.0	15.0
5	宋颖娉	北京工业大学光电子技术实验室	6	81	4.0	6.0
6	艾伟伟	北京工业大学光电子技术实验室	5	77	3.0	5.0