半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 蔡树军 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  401-405
    摘要: 综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况...
  • 作者: P.C hoi 邱孟通
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  406-408,417
    摘要: 分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm.指出了极紫外光源是极紫外...
  • 作者: 冯倩 王冲 郝跃 郭亮良
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  409-413
    摘要: 对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点.回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展.以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形...
  • 作者: 史铁林 廖广兰 来五星 杨叔子
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  414-417
    摘要: 反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3 μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅...
  • 作者: 成立 李岚 王振宇 祝俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  418-422,428
    摘要: 综述了几种目前已得到应用和正在发展中的电子束曝光技术,包括基于扫描电镜(SEM)电子束、高斯电子束、成型电子束和投影电子束曝光技术等,并分析比较了这些技术各自的特点、应用及发展前景.
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  423-424
    摘要:
  • 作者: 刘玉岭 张西慧 李洁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  425-428
    摘要: 研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积.GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同...
  • 作者: 唐晨 孙伟锋 宋慧滨 易扬波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  429-431,440
    摘要: 在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环.通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应...
  • 作者: LEE Taekoo 娄浩焕 王家楫 瞿欣 祁波 陈兆轶
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  432-436
    摘要: 按照JEDEC标准对板级跌落实验的要求测试了有铅和无铅焊点的球栅阵列封装.用ANSYS软件建立了有限元分析模型,并用ANSYS/LS-DYNA直接求解器计算了典型结点的应力和应变,以及每次跌...
  • 作者: 张博文 田立卿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  437-440
    摘要: 通常将微波电路置于金属封装之内.如果该封装波导谐振模恰好位于电路工作频率范围之内,电路与封装谐振模间的耦合将干扰电路的工作.在腔内放入覆有膜电阻的介质基片,可以有效地削弱封装谐振模,避免了放...
  • 作者: 伍逸枫 张扬 王宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  441-443,451
    摘要: 逻辑簇的边界扫描测试存在一些不可忽视的重要问题.分析了这些问题的影响,提出了相应措施,并介绍了结合BIST技术进行逻辑簇测试的方法.
  • 作者: 俞跃辉 姜丽娟 宋朝瑞 程新红 许仲德
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  444-447,459
    摘要: 针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI(PSOI)横向双扩散MOSFET(LDMOSFET)进行了结构优化分析,发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最...
  • 作者: 杨红伟 花吉珍 赵润 郭芳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  448-451
    摘要: 采用转换矩阵的处理方法,对大功率半导体激光器腔面光学灾变阈值与膜层结构的关系进行了分析.从理论上给出了膜层的设计方法和计算结果,解释了不同腔面反射率对应的腔光学灾变阈值变化的实验结果,并首次...
  • 作者: 时伟 杨玉叶 王玮 王福源
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  452-455,466
    摘要: 高分辨率时间数字转换系统(TDC)采用环形延时门单元(RGDS)高分辨率系统,在可编程器件(PLD)上实现,解决了延时门的综合、延时时间的离散性等问题.由于设计、实现和集成电路工艺无关,所以...
  • 作者: 任怀龙 刘文杰 方园 谢媛媛 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  456-459
    摘要: 数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性.对数控单片移相器的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了电路设计效率的提高及电磁场验证等问题,为数...
  • 作者: 蔡敏 陈志伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  460-462,469
    摘要: 介绍了基于10Base-T标准接口放大电路的设计.描述了传输信号和设计电路的特性以及整体电路的结构,分别阐述了各个模块的电路设计,其中详细阐述了放大和整形电路的设计.最后给出了整体版图后仿真...
  • 作者: 方向前 穆维新 韩建勋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  463-466
    摘要: 数字电视机顶盒是传统模拟电视时代向数字电视时代过度的必然选择,它由硬件平台、软件平台和智能卡三部分组成,主要完成数字电视信号的解调、解码和表现等功能.分析其组成原理的基础上,提出了数字电视机...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  467-469
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  470
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  470-472
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年6期
    页码:  472
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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