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半导体技术2006年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求.综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决...
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3. KrF光刻工艺技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 比较了248nm KrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nm KrF光刻工艺的特点.对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nm KrF光刻技...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 设计了一种新型结构的MOEMS阵列光开关,开关由上电极阵列、倾斜下电极阵列和准直光纤阵列三部分组成.上电极阵列利用(110)硅片制作,其中包括反射镜阵列和扭臂驱动结构的上电极阵列.具有集成性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 介绍了双面光刻对准原理及技术新发展,表明了不变焦对准的技术优势.针对玻璃基片设计了十字加方框的对准图样,经重新调焦,利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现对准,不再采用静态存储的掩模数...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 论述了反射高能电子衍射(RHEED)作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系,提出了以RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶格结构的演变情况,并从衬底...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 介绍了支持JTAG标准的IC芯片结构和故障测试的4-wire串行总线,以及运用边界扫描故障诊断的原理.实验中分析了IC故障类型、一般故障诊断流程和进行扫描链本身完整性测试的方案,并提出了一种...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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9. 新型低电压能隙基准电压源刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 介绍了一种新型能隙基准电压源电路,此电路在smic 0.18 rfms工艺条件下设计,它可以输出大小为616mV的基准电压,只要当电源电压在1.1,2.5V之间,此基准电压的输出浮动不超过2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAs PIN探测器的透射率.计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 利用小波提升理论构造一种新的多载波(OFDM)系统,在原傅里叶变换的OFDM(FFT-OFDM)系统的优越性的基础上,扩大系统容量及有效地利用系统的带宽,并使整个系统简单化.进一步对小波提升...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 介绍了低压压敏陶瓷的导电机理、研究途径,实验并分析了掺入TiO2、籽晶和稳定剂Ta2O5对材料性能的影响及作用原理,做出了适合集成电路用的低压压敏陶瓷材料.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 建立了超声键合压力的测量工作台,对工作台进行静态线性度标定和动态重复性测量,利用动态压电测力传感器对超声键合系统键合压力大小进行测量,得出不同压力作用下传感器力响应曲线图,分析其频谱图,发现...
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14. 征稿启示刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 采用稀有金属镱元素对钛酸铋进行掺杂,以期获得性能较好的(Bi,Yb)4Ti3O12铁电薄膜.采用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(100)基底上成功地沉积出(Bi34,Yb06)Ti3O12[BY...
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16. 相变存储器器件单元测试系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 通过计算机控制脉冲信号发生器和数字信号源等硬件设备,实现对硫系化合物随机存储器(C-RAM)器件性能的测试.该系统主要有电流与电压关系测试、电压与电流关系测试、电阻与所加的脉冲信号关系的测试...
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17. 高性能电压模求小电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 提出了一种多输入电压模CMOS求小/求大电路结构,它具有内部节点电压摆幅小,高速高精度以及结构简单等优点.电路复杂性随输入节点数的增多呈线性增长,且对于每个输入信号都具有相同的负载,即每一路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 给出了一种基于随机逻辑的准数字化数模转换电路的PLD实现方法,即将绝大部分器件在PLD中实现,外部只有极少的模拟元件.介绍了设计原理,给出了仿真分析和硬件测试的结果.由于用硬件描述语言(HD...
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19. 一种智能家居安防系统的电路设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要： 介绍了一种家居安防系统的硬件电路.采用门磁、热释红外、主动红外、振动、可燃性气体、烟雾等传感器及新型的安防集成电路,由高性能收发组件完成外围信号的采集和传送.采用高性价比的PIC单片机作为主...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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23. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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24. 半导体市场刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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25. 业界动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
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26. 产品博览刊名： 半导体技术发表期刊： 2006年8期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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