300mm硅片化学机械抛光技术分析

• 作者: 李耀东 林霖 王继 闫志瑞 鲁进军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(化学机械抛光)
• 页码范围: 561-564
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.08.001

摘要

化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术.对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.