半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 姜巍 孙芳魁 张守涛 赵晖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  241-244
    摘要: 对在现代无线通讯系统中应用的无源元件集成化的主要解决方案进行了介绍与分析,并对比了半导体薄膜集成技术与厚膜集成技术的主要优缺点,以研发的一种薄膜集成RCD低通滤波芯片为例,介绍了薄膜集成无源...
  • 作者: 张睿 钱省三
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  245-249,267
    摘要: 运用波特(Michael Porter)产业竞争优势分析的理论与方法-"钻石"模型,比较分析我国半导体制造代工产业竞争优势的形成与发展以及进一步演化的过程.并指出了半导体制造代工的产业竞争优...
  • 作者: 徐晨 杨道虹 沈光地 赵慧 赵林林 霍文晓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  250-252,263
    摘要: 键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅...
  • 作者: 李霞章 陈志刚 陈杨
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  253-256,267
    摘要: 通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学...
  • 作者: 乔治 刘彩池 史严 张彦立
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  257-259
    摘要: CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议.通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究.实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且...
  • 作者: 陈国斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  260-263
    摘要: 随着SOC芯片故障概率的增加,嵌入式存储器的修复变得越来越重要.介绍了嵌入式存储器修复技术的基本原理,分析了现行各种修复策略,并指出了各自的优缺点,讨论了其发展方向.
  • 作者: 胡平生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  264-265
    摘要:
  • 作者: 陈亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  266-267
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  268
    摘要:
  • 作者: 史铁林 廖广兰 聂磊 钟飞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  269-271,294
    摘要: 研究了玻璃中介圆片键合的方法.当采用低转化温度的玻璃粉末为中介玻璃层时,可在410℃实现强度较好的硅圆片键合,而如果将温度提高到430℃,键合强度可以达到4MPa.
  • 作者: 刘英坤 吴坚 李明娟 潘茹
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  272-275,279
    摘要: 随着半导体器件在雷达、航空航天等领域的大量应用,对芯片焊接的可靠性提出了越来越高的要求.本文对半导体器件芯片焊接(粘贴)方法作了简要介绍,对几种常用方法进行了比较.并主要针对在半导体器件中应...
  • 作者: 王宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  276-279
    摘要: 在边界扫描测试技术中,由非BS器件组成的逻辑簇的测试是难点问题.介绍了一种逻辑簇测试诊断软件的原理、过程和应用,并通过实例验证了其有效性与可靠性.
  • 作者: 王广武
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  280-283
    摘要: 针对半导体集成电路运算放大器失效模式指出了其测试方法,通过分解半导体集成电路运算 (电压)放大器、电压比较器测试电原理图,说明了该类器件的一些主要性能参数测试原理,介绍了在生产实践中测试技术...
  • 作者: 许伟达
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  284-286
    摘要:
  • 作者: 朱小珍 朱樟明 柴常春
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  287-289,299
    摘要: 设计并讨论了一种高速CMOS全差分运算放大器.设计中采用了折叠共源共栅结构、连续时间共模反馈以及独特的偏置电路,以期达到高速及良好的稳定性.基于TSMC 0.25 μ m CMOS工艺,仿真...
  • 作者: 廖小平 朱健 蔡洁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  290-294
    摘要: 利用一种新型双边加直流驱动电极的电容耦合式MEMS并联膜开关与直接接触式并联膜开关进行级联,形成MEMS双膜开关.通过对其尺寸和结构的优化,降低开关阈值电压,Coventor软件模拟表明,开...
  • 作者: 何怡刚 晏进喜 李必安 赵文山
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  295-299
    摘要: 提出了一种用开关电流电路实现连续小波变换的方法,将连续小波变换转化为用带通滤波器组对信号进行处理,并用开关电流电路实现该带通滤波器组.文章采用基于第二代开关电流技术的带通滤波器组实现了8通道...
  • 作者: 孙建刚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  300-302,309
    摘要: 基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3....
  • 作者: 刘志华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  303-304,314
    摘要: 提出了一种基于半导体制冷器的"纯净电源"方案,该电源具有电气安全性能优异,抗干扰能力强,输出纯净,寿命长,体积小等特点.指出了其能源转化效率低.负载能力低,需采用适当的高温防护措施等应用局限...
  • 作者: 冷祥纶 周祖成 徐宁仪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  305-309
    摘要: 片上网络为具有多个处理单元的高速并行片上系统提供一种结构化的片上通信与互连的方法.当前丰富多样的通信实体的选择、建模和仿真,对于精确评估和优化片上网络的整体性能非常重要.本文提出了一种基于S...
  • 作者: 蔡敏 马哲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  310-314
    摘要: 根据模拟硬件描述语言Verilog-A的特点,抽取欲设计锁相环各模Vegilog-A建立的相应模块的行为级模型中,并且根据晶体管级仿真结果对行为级模型中的参数进行实时修正,建立了比较精确的中...
  • 作者: 成立 朱漪云 李岚 王振宇 祝俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  315-318,286
    摘要: 提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器.该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  319-320
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  321-324
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  325-326
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  327-329
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  330
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  331-334
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2006年4期
    页码:  335-337
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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