计算机硬盘基板及其CMP技术分析研究

• 作者: 刘玉岭 刘长宇 牛新环 王娟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硬盘 化学机械抛光 平整度
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(化学机械抛光)
• 页码范围: 565-568
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.08.002

摘要

随着计算机硬盘容量的增大、转速的提高、磁头与盘片间距离的降低,对硬盘基板材料选择及改善基板表面平整度提出了更高的要求.综述了硬盘基板材料的发展状况,指出了基板化学机械抛光(CMP)中亟待解决的问题和解决的途径,分析研究了影响硬盘基板CMP技术的因素及如何控制基板抛光后的表面质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王娟	河北工业大学微电子研究所	40	220	8.0	12.0
3	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
4	刘长宇	河北工业大学微电子研究所	5	46	4.0	5.0