KrF光刻工艺技术

• 作者: 刘德明 王静辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 氟化氪 工艺
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 569-572
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2173字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.08.003

摘要

比较了248nm KrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nm KrF光刻工艺的特点.对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nm KrF光刻技术在实际工艺中可以得到灵活应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王静辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	8	2.0	2.0
2	刘德明	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	0	0.0	0.0