氮化镓干法刻蚀研究进展

• 作者: 冯倩 王冲 郝跃 郭亮良
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 干法刻蚀 等离子体 刻蚀损伤
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光刻技术)
• 页码范围: 409-413
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 3288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.06.003

摘要

对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点.回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展.以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌.在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm.对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
3	王冲	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	17	107	7.0	9.0
4	郭亮良	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	29	3.0	4.0