氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

• 作者: 汪辉 罗仕洲 肖方
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热磷酸 湿法蚀刻 蚀刻率 氮化硅
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 847-850
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.10.006

摘要

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	肖方	上海交通大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
6	罗仕洲		1	0	0.0	0.0