工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响

• 作者: 汤庭鳌 费瑾文
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: PZT薄膜 界面层 铂溅射温度 二氧化钛 退火温度
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 872-875
• 页数: 4页
• 分类号: TM930.1
• 字数: 2199字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.008

摘要

采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较.通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温度都会对PZT薄膜与电极之间的界面层产生影响.高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构,并导致PZT薄膜与电极之间的界面层特性变差;PZT薄膜600℃退火得到的薄膜表面均匀致密,界面层电容值最大.通过不同工艺条件下PZT薄膜界面层电容的提取比较,获得了调整PZT薄膜工艺条件的优化参数.