应变Sil-xGex/Si △i能谷附近色散关系的KP理论推导

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: KP法 导带 应变硅锗
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 442-446
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 1646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.009

摘要

基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的△i能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGx中的△i能级大小不同于弛豫Si-xGex的△1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m*l,m*t)相同.△i和△1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	舒斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	109	8.0	10.0