N含量对CNx薄膜结构和介电性能的影响

• 作者: 光磊 张明明 徐军 赵艳艳 陆文琪
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: CNx薄膜 N/C比 折射率 介电常数 电子极化
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5|TB43
• 字数: 3479字
• 语种: 中文

摘要

利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR PEUMS)系统,在室温下制备CNx薄膜.通过傅立叶变换红外光谱、X光电子能谱表征技术以及椭偏仪测试手段,研究了N含量对CNx薄膜结构和介电性能的影响.研究结果表明,随着CNx薄膜N/C比的增大,sp3 C-N的形成受到抑制,sp2 C-N的形成增多,薄膜折射率以及介电常数电子极化贡献部分降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	51	346	11.0	14.0
2	赵艳艳	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	4	17	2.0	4.0
3	张明明	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	6.0	9.0
4	陆文琪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	7.0	9.0
5	光磊	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	1	0	0.0	0.0