采用容性封装技术提高ESD防护性能研究

• 作者: 曾传滨 李多力 李晶 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 电容 封装 传输线脉冲发生器 钳位电路 集成电路
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 876-880
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.09.014

摘要

品和SOI静态随机存储器产品上,成功地将这两款产品的ESD防护能力从1000 V提高到了3000 V以上,验证了这种容性封装技术在ESD防护方面的优良性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	李晶	中国科学院微电子研究所	127	2691	28.0	50.0
4	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
5	曾传滨	中国科学院微电子研究所	12	34	4.0	5.0