ZnGeP2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进

• 作者: 朱世富 程江 赵欣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷锗锌 多晶合成 安瓿爆炸 垂直布里奇曼法 晶体生长
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 516-519,553
• 分类号: TN304.26|TN304.05
• 字数: 2641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.005

摘要

分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺.采用改进的单温区合成法,配合梯度降温冷却技术,有效地避免了ZnGeP2合成过程中的爆炸现象,实现了富余P与合成产物的有效分离.经X射线衍射仪、能量分散光谱仪测试表明:合成产物是高纯单相的ZnGeP2多晶材料.以此为原料,采用垂直布里奇曼法进行ZnGeP2晶体生长,获得了尺寸达φ20 mm ×60 mm外观完整、结晶性好的ZnGeP2单晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学与工程学院	151	840	14.0	20.0
2	程江	四川大学材料科学与工程学院	3	9	2.0	3.0