GaN基不同电极形状的LED性能比较

• 作者: 张俊兵 曾祥华 林岳明 王书昶 董雅娟 金豫浙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 电极形状 发光二极管 寿命 光电性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 177-181,193
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 字数: 3011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.001

摘要

对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析.结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升.对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37000h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书昶	扬州大学物理科学与技术学院	8	21	3.0	4.0
2	林岳明		6	36	3.0	6.0
3	张俊兵	扬州大学物理科学与技术学院	6	39	4.0	6.0
4	金豫浙	扬州大学物理科学与技术学院	4	15	3.0	3.0
5	曾祥华	扬州大学物理科学与技术学院	57	143	6.0	10.0
6	董雅娟	扬州大学物理科学与技术学院	3	12	2.0	3.0