应用于WCDMA的双频单片SiGe BiCMOS功率放大器

• 作者: 叶波 赖宗声 阮颖 陈磊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 双频 偏置电路 锗硅 异质结双极晶体管 宽带码分多址
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应该用
• 页码范围: 697-700,725
• 分类号: TN722.75
• 字数: 2092字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.011

摘要

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)的双频单芯片功率放大器(PA).PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换.制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路.在3.3V电源电压下测试结果表明,对于band-Ⅴ (CLR)频段,PA的线性输出功率P1dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34％.对于band-Ⅰ (IMT)频段,PA的P1dB为26.3 dBm,PAE为31％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖宗声	华东师范大学微电子电路与系统研究所	136	779	13.0	18.0
2	陈磊	华东师范大学微电子电路与系统研究所	23	90	6.0	7.0
3	叶波	上海电力学院计算机与信息工程学院	25	89	6.0	7.0
4	阮颖	上海电力学院计算机与信息工程学院	11	37	3.0	5.0