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新型阻变存储器内的电压解决方案
新型阻变存储器内的电压解决方案
作者:
吴雨欣
廖启宏
林殷茵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
阻变存储器
电荷泵
压控振荡器
工艺角
温度
摘要:
相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度.而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路.该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备.同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义.该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求.
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文献信息
篇名
新型阻变存储器内的电压解决方案
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
阻变存储器
电荷泵
压控振荡器
工艺角
温度
年,卷(期)
2011,(6)
所属期刊栏目
集成电路设计与应用
研究方向
页码范围
446-450
页数
分类号
TP333|TN402
字数
2972字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吴雨欣
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
5
12
2.0
3.0
2
林殷茵
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
40
129
7.0
10.0
3
廖启宏
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
1
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
阻变存储器
电荷泵
压控振荡器
工艺角
温度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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