快速热氧化制备超薄GeO2及其性质

• 作者: 刘冠洲 李成 赖虹凯 路长宝 陈松岩
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗 初始氧化 氧化速率 界面态 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与设备
• 页码范围: 201-205
• 分类号: O484.4|TN305.5
• 字数: 2999字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.03.009

摘要

超薄氧化锗对钝化Ge MOSFET器件中高介电常数栅介质与Ge界面具有重要的意义.通过研究400～ 550℃下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质,发现在一定温度下较短的氧化时间内,氧化锗的厚度随氧化时间的增加呈明显的两段线性关系.在开始阶段,氧化锗具有高的生长速率；当氧化锗厚度达到一定值(与温度相关)时,氧化速率变慢,与Deal-Grove氧化模型中的线性生长速率基本一致.X射线光电子能谱( XPS)测试结果表明氧化锗中存在不同价态的Ge,且随着氧化时间的增加,氧化锗的氧化程度逐渐提高.在550℃下氧化180 s形成的氧化锗用于Ge-MOS结构,C-V特性表明在禁带中央处获得了较小的界面态密度,达到1.7×1012 cm -2eV-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈松岩	厦门大学半导体光子学研究中心	68	248	8.0	12.0
2	赖虹凯	厦门大学半导体光子学研究中心	17	32	3.0	5.0
3	李成	厦门大学半导体光子学研究中心	45	140	7.0	11.0
4	刘冠洲	厦门大学半导体光子学研究中心	7	6	1.0	1.0
5	路长宝	厦门大学半导体光子学研究中心	1	0	0.0	0.0