Si基JBS整流二极管的设计与制备

• 作者: 刘肃 岳红菊 王一帆 王朝林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si基JBS整流二极管 功率肖特基二极管 蜂窝状结构 I-V特性 场限环
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 新型半导体器件
• 页码范围: 180-183
• 分类号: TN313.5
• 字数: 2438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.03.004

摘要

基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果.在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流；采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压.对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF =0.78 V(正向电流IF=5A时),反向击穿电压可达340 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘肃	兰州大学微电子研究所	68	261	9.0	11.0
2	王一帆	兰州大学微电子研究所	5	18	3.0	4.0
3	王朝林	兰州大学微电子研究所	3	14	2.0	3.0
4	岳红菊		4	13	2.0	3.0