基于电荷泵技术的MOS器件界面特性测量方法

• 作者: 孔学东 章晓文 胡伟佳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷泵技术 脉冲频率 反偏压 脉冲幅值 占空比
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与测试技术
• 页码范围: 235-239
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.03.016

摘要

随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,导致栅漏电流不断增大,这使传统测量界面态的方法应用受到限制.介绍了采用电荷泵技术用于MOS器件Si/SiO2界面特性研究,分别研究了脉冲频率、反偏置电压、脉冲幅值和占空比对泵电流的影响,对突变曲线做了深入的理论分析,指出了需要严格的选择脉冲频率、幅值、反偏置电压和占空比,才能保证测量的准确性.这些探索为电荷泵技术在MOS器件中的界面电荷测量和电荷泵曲线分析提供实验指导和理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔学东		8	21	2.0	4.0
2	章晓文		13	39	4.0	5.0
3	胡伟佳	广东工业大学材料与能源学院	2	3	1.0	1.0