碱性阻挡层抛光液在65 nm铜布线平坦化中应用

• 作者: 何彦刚 刘玉岭 王辰伟 蔡婷 陈蕊 高娇娇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 巨大规模集成电路(GSI) 多层铜布线 阻挡层抛光液 碱性 酸性
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 750-754
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.10.006

摘要

阻挡层的平坦化直接决定了多层铜布线化学机械平坦化结果的好坏和器件的成品率,而阻挡层抛光液作为阻挡层平坦化的重要组成部分,其作用至关重要,研发了一种高性能的碱性阻挡层抛光液.采用在300 mm多层铜布线上进行阻挡层平坦化实验,用抛光后各测试参数与国际通用酸性阻挡层抛光液进行对比的方法进行研究.结果表明碱性阻挡层抛光液抛光后,线宽比为50 μm/50μm处碟形坑大小为52.3 nm,5μm/5 μm处蚀坑大小为20.8 nm,电阻为1.18 kΩ,电容为2.33 pF,铜膜表面粗糙度为0.32 nm,均满足工业要求且优于酸性抛光液结果,满足65 nm技术节点的需求.为未来28 nm及22 nm的发展提供了阻挡层抛光材料,适应巨大规模集成电路(giga scale integration,GSI)未来的发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	何彦刚	河北工业大学微电子研究所	21	142	6.0	11.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
4	蔡婷	河北工业大学微电子研究所	7	35	4.0	5.0
5	高娇娇	河北工业大学微电子研究所	14	51	5.0	6.0
6	陈蕊	河北工业大学微电子研究所	7	26	4.0	5.0