基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究

• 作者: 乔哲 唐昭焕 王斌 谭开洲 陈佳
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 单粒子效应 锎源 单粒子烧毁 单粒子栅穿
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 105-109
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施.使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究.对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王斌	中国电子科技集团公司第二十四研究所	57	163	7.0	10.0
2	谭开洲		23	106	5.0	9.0
3	唐昭焕		9	14	3.0	3.0
4	陈佳	中国电子科技集团公司第二十四研究所	5	49	3.0	5.0
5	乔哲	中国电子科技集团公司第二十四研究所	1	5	1.0	1.0