测试参数对掺As ZnO微米线光致发光谱的影响

• 作者: 张贺秋 李泽宇 汪瑞谱 胡礼中 郭铖 金叶
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 水热法 光致发光 曝光时间 狭缝
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 867-871,877
• 分类号: TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.014

摘要

光致发光谱是发光材料在特定光源照射下发出的不同波长光的强度分布,可广泛应用于材料的光学及掺杂特性研究领域,是一种非破坏性的测试技术.利用水热法生长了ZnO微米线,用闭管热扩散方法进行了掺As处理,获得掺As的ZnO微米线,并对掺As的ZnO微米线进行光致发光谱测试.通过改变两个测试参数:CCD探测器的曝光时间及光入射狭缝的宽度,研究这两个参数的变化对测试谱线的影响.测试结果表明只有在适合的曝光时间及狭缝宽度时才能较充分地反映材料的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡礼中	大连理工大学物理与光电工程学院	28	160	8.0	11.0
2	张贺秋	大连理工大学物理与光电工程学院	14	41	4.0	6.0
3	金叶	大连理工大学物理与光电工程学院	2	1	1.0	1.0
4	汪瑞谱	大连理工大学物理与光电工程学院	1	0	0.0	0.0
5	郭铖	大连理工大学物理与光电工程学院	4	6	2.0	2.0
6	李泽宇	大连理工大学物理与光电工程学院	1	0	0.0	0.0