氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析

• 作者: 孔乐 崔敏 李廷 王旭 邓金祥 陈亮 陈仁刚 高学飞
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si:H薄膜 椭圆偏振光谱 光学参数 工作气压 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3104字
• 语种: 中文

摘要

射频磁控溅射法制备 a-Si：H 薄膜，利用椭圆偏振光谱对不同气压下 a-Si：H 薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双层光学模型，通过 Forouhi-Bloomer 模型对椭圆偏振光谱参数进行拟合，获得450-850 nm 光谱区域的 a-Si：H 薄膜光学参数值。结果表明，随着工作气压增加，薄膜厚度增厚，沉积速率升高；相同工作气压下，随偏振光波长增大，折射率呈下降趋势；相同波长偏振光下，折射率随工作气压上升而下降，折射率变化范围在3.5-4.1；消光系数随着工作气压增大呈略微增大的趋势。根据吸收系数与消光系数的关系，获得了薄膜的吸收谱，测算出不同工作气压下 a-Si：H 薄膜的光学带隙为1.63 eV-1.77 eV。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔乐	北京工业大学应用数理学院	18	53	5.0	7.0
2	王旭	北京工业大学应用数理学院	15	99	5.0	9.0
3	邓金祥	北京工业大学应用数理学院	45	150	7.0	9.0
4	崔敏	北京工业大学应用数理学院	16	44	5.0	5.0
5	陈亮	北京工业大学应用数理学院	20	61	5.0	6.0
6	李廷	北京工业大学应用数理学院	1	2	1.0	1.0
7	陈仁刚	北京工业大学应用数理学院	3	10	2.0	3.0
8	高学飞	北京工业大学应用数理学院	2	8	2.0	2.0