铜(钛)和铜(铬)自形成阻挡层性能表征

• 作者: 唐彬浛 李富银 王颖
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜(铬)合金 铜(钛)合金 磁控溅射 界面 阻挡层 退火
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 371-375,386
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.009

摘要

采用直流磁控溅射法分别将Cu (Ti)和Cu (Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10-3 Pa)中退火1h,退火温度为300 ～ 700℃.对Cu (Ti)及Cu (Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构.通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性.结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿〈111〉晶向择优取向生长.两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散.Cu (Ti) /SiO2/Si和Cu (Cr) /SiO2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王颖	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	55	237	9.0	13.0
2	李富银	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	0	0.0	0.0
3	唐彬浛	哈尔滨工程大学信息与通信工程学院	1	0	0.0	0.0