双界面智能卡芯片模拟前端ESD设计

• 作者: 孙磊 李志国 潘亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双界面智能卡 模拟前端(AFE) 静电放电(ESD) 人体模型(HBM) 设计规则 芯片成本
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 269-274
• 页数: 6页
• 分类号: TN402|TN442
• 字数: 1970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.005

摘要

双界面智能卡芯片静电放电(ESD)可靠性的关键是模拟前端(AFE)模块的ESD可靠性设计,如果按照代工厂发布的ESD设计规则设计,AFE模块的版图面积将非常大.针对双界面智能卡芯片AFE电路结构特点和失效机理,设计了一系列ESD测试结构.通过对这些结构的流片和测试分析,研究了器件设计参数和电路设计结构对双界面智能卡芯片ESD性能的影响.定制了适用于双界面智能卡芯片AFE模块设计的ESD设计规则,实现对ESD器件和AFE内核电路敏感结构的面积优化,最终成功缩小了AFE版图面积,降低了芯片加工成本,并且芯片通过了8 000 V人体模型(HBM) ESD测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙磊	北京中电华大电子设计有限责任公司射频识别芯片检测技术北京市重点实验室	5	3	1.0	1.0
2	潘亮	北京中电华大电子设计有限责任公司射频识别芯片检测技术北京市重点实验室	11	45	4.0	6.0
3	李志国	北京中电华大电子设计有限责任公司射频识别芯片检测技术北京市重点实验室	2	0	0.0	0.0