太阳电池用多晶硅锭红外检测中阴影的表征分析

• 作者: 孟庆超 张伟 张莉沫 张运锋 潘明翠 高文宽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅铸锭 红外检测 杂质 氮化硅 碳化硅
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 551-554
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.07.013

摘要

研究了多晶硅铸锭过程中,硅锭内部红外探伤测试中显示黑斑位置晶体缺陷的杂质组成,并根据杂质成分推导了此种缺陷的形成机理和条件.采用光致发光(PL)技术、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对杂质进行了表征与分析.结果显示,形成阴影的夹杂在晶界中存在的形态主要为针状或薄片状,其组成成分主要为C,N和Si元素.而Si3N4的出现可能有两个原因:一是Si3N4涂层脱落而沉积在晶界中;二是溶解在液相中的N局部过饱和.此外,结晶过程中,SiC也随之成核并生长,在晶界上形成夹杂物,同时伴随着微缺陷的增加.据此提出了去除多晶硅锭内部阴影的几点措施.