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摘要:
介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源.利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路.采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比.结果表明,该带隙基准源在-40℃~120℃内的温度系数为2.83×10-6/℃,在低频、100 kHz、1 MHz处的电源抑制比分别为-127、-98、-67 dB.最低工作电压为1.8V,在1.8~3 V电源电压范围内的线性调整率为4×10-5/V,功耗为57μW.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种新颖的低温漂高电源抑制比带隙基准源
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 指数曲率补偿 预调整器 电源抑制比
年,卷(期) 2018,(1) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 9-13
页数 5页 分类号 TN433
字数 语种 中文
DOI 10.13911/j.cnki.1004-3365.170168
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邢建力 厦门大学信息科学与技术学院 5 8 2.0 2.0
2 黄宇鹏 厦门大学信息科学与技术学院 1 5 1.0 1.0
3 邢舟 1 5 1.0 1.0
4 李德华 厦门大学信息科学与技术学院 1 5 1.0 1.0
5 杨斌杰 厦门大学信息科学与技术学院 1 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
指数曲率补偿
预调整器
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
论文1v1指导