N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究

• 作者: 刘畅咏 吴秀龙 彭春雨 徐骅 王静 赵强 韩波
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: PMOS 单粒子瞬态 工艺波动 掺杂浓度 N阱
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 515-519
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180024

摘要

基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65 nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响.针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况.研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度.该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴秀龙	安徽大学电子信息工程学院	56	135	6.0	8.0
2	王静	阜阳师范学院计算机与信息工程学院	25	24	4.0	4.0
3	赵强	安徽大学电子信息工程学院	7	1	1.0	1.0
5	韩波	阜阳师范学院计算机与信息工程学院	31	24	2.0	4.0
6	彭春雨	安徽大学电子信息工程学院	6	8	2.0	2.0
9	徐骅	中国电子科技集团公司第二十四研究所	1	0	0.0	0.0
10	刘畅咏	安徽大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0