基于0.18μm BiCMOS工艺的2GS/s采保放大器

• 作者: 刘中华 孟桥 张有涛 张翼 李晓鹏 郭宇锋
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 采保放大器 开关射极跟随 前馈电容 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 471-474,479
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 1761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170486

摘要

基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2 GS/s超高速采保放大器.分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构.增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通.后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真比(SNDR)在奈奎斯特频率下均大于51.7 dB,核心电路的功耗为29.2 mW,时钟缓冲电路的功耗为7 mW.该采保放大器的性能良好.