磁控溅射法制备纳米铜膜及其电学性能研究

• 作者: 刘飞 张勋泽 朱昊 朴祥秀
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 磁控溅射 铜膜 电阻率 择优取向 工艺条件
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-29
• 页数: 7页
• 分类号: TB383
• 字数: 3182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.005

摘要

实验通过控制镀膜温度、 功率、 压力和时间的工艺条件,采用磁控溅射法在玻璃基板表面沉积纳米Cu膜,利用XRD、SEM和四探针测试议测试分析研究了其晶体结构、 形貌结构和电阻率.结果表明:随着镀膜温度的升高,薄膜内部晶界增多,导电性能基本无差异,膜层均匀性变好.镀膜功率与晶粒尺寸两者之间呈正线性关系.与之相反,随着镀膜压力的增加,晶粒尺寸有轻微减小趋势.镀膜功率和压力与膜层均匀性都成非线性关系.随着镀膜时间的增加,膜厚与之成线性关系增加,晶粒尺寸基本不变,电阻率有减小趋势.镀膜温度、 功率、 压力和时间对成膜择优取向无显著影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朴祥秀		4	4	2.0	2.0
2	刘飞		4	2	1.0	1.0
3	朱昊		2	2	1.0	1.0
4	张勋泽		2	4	2.0	2.0