一种亚阈值MOS管低功耗基准电压源

• 作者: 侯德权 刘云超 周莉 肖璟博 陈敏 陈杰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电压源 亚阈值区 低功耗 模拟集成电路
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 574-578
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170542

摘要

设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源.利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压.采用0.18 μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真.结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25V,在0℃～80℃温度范围内的温度系数为6.096×10-5/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈杰	中国科学院微电子研究所	247	3126	30.0	49.0
2	陈敏	中国科学院微电子研究所	152	2213	23.0	42.0
3	周莉	中国科学院微电子研究所	147	3705	32.0	57.0
4	肖璟博	中国科学院微电子研究所	8	23	3.0	4.0
8	刘云超	中国科学院微电子研究所	4	16	2.0	4.0
12	侯德权	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0