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化学制备硫化铅芯片的光电性能研究
化学制备硫化铅芯片的光电性能研究
作者:
张翔
杨剑
邹红军
魏小梅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硫化铅芯片
化学沉淀
微观结构
光电性能
摘要:
把具有一定光电性能的硫化铅芯片封装在不同结构的外壳中,就构成了各种各样的硫化铅红外探测器.通过化学沉淀的方法制作硫化铅芯片,并且对硫化铅芯片进行了温度处理.经过一段时间的存放后测试硫化铅芯片的表面形态、物质构成、内部结构和晶体生长方向等.根据测量结果研究了硫化铅芯片不同的微观结构对其光谱和光电性能的影响,确定了提高硫化铅芯片光电性能的研究方向.
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文献信息
篇名
化学制备硫化铅芯片的光电性能研究
来源期刊
电子工艺技术
学科
工学
关键词
硫化铅芯片
化学沉淀
微观结构
光电性能
年,卷(期)
2019,(1)
所属期刊栏目
新工艺 新技术
研究方向
页码范围
54-57
页数
4页
分类号
TN362
字数
2721字
语种
中文
DOI
10.14176/j.issn.1001-3474.2019.01.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
魏小梅
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邹红军
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杨剑
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研究主题发展历程
节点文献
硫化铅芯片
化学沉淀
微观结构
光电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第二研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-3474
CN:
14-1136/TN
开本:
大16开
出版地:
太原市115信箱
邮发代号:
22-52
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
10
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