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摘要:
把具有一定光电性能的硫化铅芯片封装在不同结构的外壳中,就构成了各种各样的硫化铅红外探测器.通过化学沉淀的方法制作硫化铅芯片,并且对硫化铅芯片进行了温度处理.经过一段时间的存放后测试硫化铅芯片的表面形态、物质构成、内部结构和晶体生长方向等.根据测量结果研究了硫化铅芯片不同的微观结构对其光谱和光电性能的影响,确定了提高硫化铅芯片光电性能的研究方向.
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文献信息
篇名 化学制备硫化铅芯片的光电性能研究
来源期刊 电子工艺技术 学科 工学
关键词 硫化铅芯片 化学沉淀 微观结构 光电性能
年,卷(期) 2019,(1) 所属期刊栏目 新工艺 新技术
研究方向 页码范围 54-57
页数 4页 分类号 TN362
字数 2721字 语种 中文
DOI 10.14176/j.issn.1001-3474.2019.01.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 魏小梅 2 2 1.0 1.0
2 邹红军 3 4 2.0 2.0
3 张翔 3 5 2.0 2.0
4 杨剑 1 0 0.0 0.0
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1980(1)
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研究主题发展历程
节点文献
硫化铅芯片
化学沉淀
微观结构
光电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
双月刊
1001-3474
14-1136/TN
大16开
太原市115信箱
22-52
1980
chi
出版文献量(篇)
2306
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10
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