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半导体技术1999年第2期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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1. 宽禁带半导体功率器件刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望.
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2. 测辐射热计红外焦平面列阵刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 非制冷测辐射热计红外焦平面列阵设计为桥式结构,器件制作采用微机械加工技术.工作波段为8～12μm,热阻达107K/W量级,噪声等效温差为0.1K.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 简要分析了IGBT(绝缘栅双极晶体管)的工作机理,制作了20A/1050V的IGBT芯片,给出了测试结果,并对试制样品中子辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 报道了n型GaAs MESFET漏源电流Ids和栅源电压Vgs间的关系,发现在负栅压状态下,沟道特性分四个区域:过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区,并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 将磁控管方式溅射用于微波ECR等离子体沉积技术.在低气压和低温下沉积了高度C轴取向的ZnO薄膜,其膜的沉积速率比普通ECR溅射中所得到的速率大得多,并且在Φ12cm的膜区域内显示出良好的均匀...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 提出了一种模拟任意形状的薄层电阻的方法--电阻网络元模拟算法.将模拟值和计算值进行比较表明,该方法具有精度高和操作简单的优点,从而在IC的设计中获得广泛的应用.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 描述了宽温超高频pnp双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造.测试结果表明,环境温度从23℃升到180℃时,器件的hFE随温度平均变化率小于40%,优于同类型的常规双极结型晶体管,平...
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8. 移相掩模应用技术刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模,以代替铬图形.利用此移相掩模技术,制作了特征线长为0.15μm的微细栅条和大栅宽器件.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 通过双极型静电感应晶体管(BSIT)与普通双极型晶体管(BJT)温度特性的对比,研究了BSIT的温度特性.由实验看出,影响BSIT温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目...
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10. 芯片加工中的器件损伤刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 分析了芯片加工中器件损伤的物理机制并给出了减小损伤的方法.
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11. 有源矩阵液晶显示器的缺陷检测刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 分析了VGA有源矩阵液晶显示器的缺陷分类、产生原因.研制出了有源矩阵液晶显示器的断路测试板、短路测试板以及全板显示测试板.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 在分析电离辐射引起场区隔离失效机理及场区电离辐射加固技术的基础上,开发了一套适用于研制辐射加固54HC系列和辐射加固大规模集成电路的CMOS工艺技术.辐射实验结果表明,该技术可比非加固电路的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 研究了当双极晶体管芯片有源区出现热斑时流经其发射结的电流的趋热行为及其对用ΔV BE法测量结温的影响,提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法.
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14. 提高半导体器件成品率的有效对策刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 从技术、管理等方面入手,讨论了影响器件成品率的诸因素及提高成品率的对策.介绍了一种有效、相容的吸杂工艺;从工艺优化设计角度讨论了提高成品率的各种途径.
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刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 对国产设备试制及生产Φ＞76.2mm无位错FZ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结.
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16. 兼用型初测打点浆料的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 介绍了一种既适用于自动砂轮锯划片后自动装片或手工装片,又适用于手工装片的识别不良管芯的初测打点浆料,并介绍了红外灯光线涸化浆料的简易装置.
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17. 肖特基半导体器件的模型及其应用刊名： 半导体技术发表期刊： 1999年2期页码:摘要： 从工程实际出发,分别建立了肖特基势垒二极管(SBD)二态模型和肖特基钳位三极管(SCT)四态模型的电路模型,分析并研究了这两个典型的应用电路.
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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