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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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  • 1. 有机薄膜发光器件的研究进展
    作者： 何修军 杨军 杨定宇 蒋孟衡
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  461-465
    摘要： 有机薄膜电致发光器件具有发光效率高、驱动电压低、功耗小、响应速度快等优点,已成为近年来显示技术领域的研究热点.基于有机发光器件的能级结构,分析了电极、有机薄膜以及界面三者对器件性能的影响及相...
  • 2. 多晶硅TFT模型的研究进展
    作者： 邓婉玲 郑学仁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  466-469,473
    摘要： 全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究...
  • 3. IGCT器件的光刻技术
    作者： 戴小平 熊红云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  470-473
    摘要： 主要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)的光刻技术.IGCT器件的光刻次数多,精度要求高,如何保证光刻质量是关键.根据IGCT光刻的特点,从光刻机的性能、光刻胶的选用以及刻蚀工艺改进着手,进...
  • 4. ICP技术在化合物半导体器件制备中的应用
    作者： 姚刚 石文兰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  474-477,485
    摘要： 介绍了ICP刻蚀工艺技术原理和在化合物半导体器件制备中的应用,包括ICP刻蚀技术中的低温等离子体的形成机理、等离子体与固体表面的相互作用等,并对影响ICP刻蚀结果的因素进行了分析.研究了不同...
  • 5. GaN基HEMT栅终端场板结构研究
    作者： 冯震 张志国 王勇 蔡树军 默江辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  478-480,489
    摘要： 制作了带有栅终端场板结构的GaN基HEMT,研究了击穿电压与场板长度的关系,提取了最佳场板长度为0.4,0.5,0.6μm时所对应的栅漏击穿电压最大,为120 V.研究了栅终端场板对器件小信...
  • 6. 硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备
    作者： 李宇杰 许静 谢凯 韩喻
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  481-485
    摘要： 探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果...
  • 7. CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计
    作者： 冯全源 张炜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  486-489
    摘要： 分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls.应用这种改进型输入匹配结构...
  • 8. 0.8 μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
    作者： 毕津顺 海潮和
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  490-493
    摘要： 研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺.经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路.其中,当工作电压为5 V时,基于...
  • 9. 氧分压对ZnO薄膜结构与光学性能的影响
    作者： 刘晓艳 杨兵初 高飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  494-496,504
    摘要： 采用直流磁控溅射法在不同氧分压下制备了ZnO薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、荧光分光光度计、紫外-可见分光光度计对样品进行检测.实验表明,氧分压对ZnO薄膜的结构与光...
  • 10. 蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究
    作者： 冯志宏 刘波 尹甲运 梁栋 袁凤坡 许敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  497-500
    摘要： 通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN H...
  • 11. 微通道板腐蚀工艺研究
    作者： 严诚 王益军 邓广绪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  501-504
    摘要： 根据微通道板芯皮料玻璃的性质,选择了腐蚀工艺的腐蚀液,即HCl和NaOH溶液.利用真空压差法和显微镜形貌分析法,检测和分析了微通道板腐蚀工艺中通道的腐蚀进程.在腐蚀过程中,利用测量微通道板质...
  • 12. 场区加固工艺技术研究
    作者： 赵晓辉 郭常厚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  505-507,515
    摘要： 通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析,从中找出电路加固的思路和方法.在电离辐射效应中,CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数...
  • 13. Forouhi-Bloomer离散方程在低k材料光学表征上的应用
    作者： 吴恩超 张卫 李越生 江素华 胡琳琳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  508-511,519
    摘要： 半导体工艺中对低k介质材料的精确表征是工艺监控的重要环节，传统方法如扫描电子显微镜和透射电子显微镜存在耗时长和破坏性等缺点。使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光...
  • 14. 硅单晶锭多线切割中砂浆作用的研究
    作者： 冯涛 李保军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  512-515
    摘要： 目前,在较长的硅单晶锭切割领域,多线切割机已基本取代内圆切片机.切割砂浆在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数.讨论了砂浆的使用条件与切割质量之间的关系,通过...
  • 15. 衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响
    作者： 孙科沸 李子全 李鑫
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  516-519
    摘要： 采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对Si...
  • 16. 基于Verilog HDL的UART IP的设计
    作者： 李秋菊 杨银堂 高海霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  520-523
    摘要： 通用异步接收发送器具有可编程性和高度兼容性,在嵌入式系统设计中得到了广泛的应用.介绍了一种利用Verilog HDL语言设计UART核心功能的方法,具体描述了发送、接收、同步FIFO以及波特...
  • 17. 基于0.18 μm CMOS工艺8 bit/150 MHz折叠插值ADC
    作者： 周蕾 李冬梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  524-527,531
    摘要： 折叠插值模数转换器的转换速度快,可实现并行一步转换,但由于受到面积、功耗以及CMOS工艺线性度和增益的限制,其精度较低.提出了一种电流模均衡电路,能够有效地消除折叠电路中的共模影响,提高折叠...
  • 18. SOC测试结构优化研究
    作者： 王征 许川佩 黄青萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  528-531
    摘要： 结合SOC测试结构的特点,采用量子进化算法对SOC测试结构进行优化.通过对量子进化算法中群体尺寸、旋转角度的合适设定,达到减少SOC测试所用时间的目的.针对国际SOC标准电路验证表明,与同类...
  • 19. 一种用于采保电路的宽带高增益放大器的设计
    作者： 庞世甫 张冰 李崴 李汇 王继安 龚敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  532-534,543
    摘要： 分析了跨导运算放大器的电路结构,采用两级放大电路,考虑到全差分结构中要使用共模反馈,用共源共基和共源共栅电路来实现电路的设计.同时对部分性能指标进行了优化,其中包括增益非线性引入的误差和不完...
  • 20. 焊球阵列封装及其返修工艺技术
    作者： 成立 李加元 李华乐 杨建宁 王振宇 贺星
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  535-538
    摘要： 在简介各种焊球阵列(BGA)封装形式的基础上,归纳出BGA封装的技术优势,包括引脚结构、封装尺寸和封装密度等,并分析了BGA封装的返修工艺技术.分析结果表明,BGA封装进一步缩小了IC的封装...
  • 21. 先进CMOS工艺栅极氧化膜的硅片级可靠性评价
    作者： 万星拱 赵毅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  539-543
    摘要： 可靠性评价的结果可直接关系到一个工艺是否能投入实际生产,也可反应出工艺中存在的问题.随着工艺更新速度的加快,硅片级可靠性(WLR)测试应运而生,其核心任务就是快速有效地评价工艺的可靠性,并对...
  • 22. 功率器件封装中铝引线焊点剥离失效机制研究
    作者： 何伦文 张卫 汪礼康 潘少辉 章垒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  544-547
    摘要： 比较回流焊前后两组器件样品的电学测量结果,并结合样品的失效分析,发现引线框架氧化也是导致焊点剥离失效的一个重要因素,而且回流焊工艺下的热机械效应,会加速原先潜在的焊点剥离失效的发生.样品的连...
  • 23. 飞思卡尔MC9S08QD4高效微控制器解决方案
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  548-549
    摘要：
  • 24. 业界动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  550
    摘要：
  • 25. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  551-552
    摘要：
  • 26. 《半导体技术》稿约
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  554
    摘要：
  • 27. 《半导体技术》中英文摘要写作要点
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年6期
    页码:  插1
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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学科分布
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