半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 张世林 郭维廉 齐海涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  553-557
    摘要: 研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT.超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降...
  • 作者: 何怡刚 侯玉宝 朱彦卿 谢涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  558-561,569
    摘要: 利用小波变换与神经网络相结合的方法,采用能量分布特征提取方法和改进BP算法,给出了一种基于小波变换和BP神经网络相结合的模拟电路故障诊断方法.用正弦信号仿真模拟电路,应用小波变换对模拟电路的...
  • 作者: 恩云飞 章晓文 黄勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  562-564,597
    摘要: 对超深亚微米PMOSFET器件NBTI效应的失效机理和退化表征进行了讨论.反应-扩散模型是最为广泛接受的NBTI退化机理模型,它有效地解释了阈值电压漂移随时间逐渐饱和以及应力去除后NBTI效...
  • 作者: 曾泽沧 蒋林 邓军勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  565-569
    摘要: 数/模混合片上系统的发展日新月异,为保证产品良率,芯片投片前的验证是片上系统设计流程中的关键环节.在数/模混合信号验证方法中,如何对整个混合信号设计的数字模块和模拟模块进行划分,以及如何完成...
  • 作者: 杨渭 王军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  570-573
    摘要: 为了深入揭示γ和β射线辐照对GaAs霍尔器件的影响规律,在无源、无磁场作用时的辐照研究基础上,又用低剂量率γ和β射线对恒流激励、无磁场和有确定磁场作用的器件进行非永久辐照,考察了输入端电阻及...
  • 作者: 吴胜登 曹建伟 李世伦 涂瑾
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  574-576,613
    摘要: 针对单晶硅生长过程中的直径测量,提出了一种基于CCD摄像头的不完整圆直径测量算法.首先利用CCD摄像头透过隔热设施俯拍单晶,获取到部分单晶生长图像;然后根据获取的该部分生长图像的特点,采用图...
  • 作者: 刘蓓 辛煜 钱敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  577-580
    摘要: 表面态问题的研究是半导体材料、器件以及集成电路工艺等研究中的一个重要议题,对表面态在禁带中的分布规律进行了研究.采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法在p型硅衬底上沉...
  • 作者: 商耀辉 李若凡 杨瑞霞 武一宾 牛晨亮 陈昊 马永强 齐国虎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  581-584
    摘要: 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射...
  • 作者: 何振辉 刘杰 李庭勋 裴念强 郭开华 顾建明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  585-588
    摘要: 机械泵驱动环路式热管冷却系统是近年来空间散热的研究热点,其工作点的温度控制,特别是对降温速率的控制一直是一项技术难题.新型的设计结构将系统回路同半导体制冷片有机结合,既可以保证热端热量即时释...
  • 作者: 伦秀君 何敬锁 张宁 王会军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  589-592
    摘要: 半导体光放大器(semiconductor optical amplifier,SOA)是具有优良非线性效应的光子器件.其非线性特性在光开关、波长变换、光逻辑运算中有重要的应用.从SOA载流...
  • 作者: 蔡斌君 黄其煜 龚大卫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  593-597
    摘要: 从BiCMOS工艺着手,结合一个基本的基准电路,从实施命令文件编写的角度,重点论述了模拟集成电路的版图与原理图匹配验证中的一个重要环节,即器件的正确识别与图层间节点信息的传输.就其中易出现的...
  • 作者: 严诚 张正君 李周奎 王益军 苏德坦 邓光绪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  598-601
    摘要: 针对三代微通道板在制作像增强器中出现的电子记忆效应现象进行分析,指出记忆效应的产生机理是通道内壁表面的多孔介质膜(PbO-Al2O3-SiO2系铅铝硅酸盐玻璃)引起的自激发射.分析了多孔介质...
  • 作者: 刘汉法 张化福 祁康成 类成新 袁玉珍 魏功祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  602-605,609
    摘要: 以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪...
  • 作者: 钟继
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  606-609
    摘要: 介绍了超高亮度发光二极管(UHB-LED)芯片切割工艺中砂轮切割、金刚刀划片及激光切割的应用情况、工艺原理、工艺特点和发展前景.结合生产实践,对比和分析了不同切割工艺的优缺点,针对不同切割生...
  • 作者: 周全
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  610-613
    摘要: 为适应微波集成电路向高性能、高可靠、多功能、小型化及低成本方向的发展趋势,介绍了一种具有限幅、开关功能的S波段平衡式低噪声放大模块,该模块利用微波薄膜混合集成电路工艺和多芯片微组装一体化集成...
  • 作者: 吕锐 杜伟韬 杨刚 杨占昕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  614-617,628
    摘要: 对数字信号处理IP设计流程各个阶段的设计和验证的任务和目标进行了一般性探讨,提出了一种层次化的数字信号处理IP的设计、验证流程,并且给出设计实例.该流程的设计阶段包括理论算法设计、需求设定、...
  • 作者: 姜岩峰 张怡
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  618-621
    摘要: 简要介绍了数字PWM技术的基本原理,重点介绍了数字PWM技术的调制方式和实现数字PWM技术的算法,并详细介绍了数字PWM技术在某些领域中的典型应用,讨论了数字PWM技术的发展现状及趋势,有利...
  • 作者: 王明泉 王朕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  622-625
    摘要: 大面积非晶硅平板探测器在工业透射射线成像领域得到越来越多的应用.基于FPD的圆轨道FDK型三维计算机层析成像技术(3D-CT)检测速度快,但成像质量不及2D-CT.为发挥3D-CT速度优势,...
  • 作者: 曹瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  626-628
    摘要: 不同领域优化的多平台FPGA以其革命性的能力促使FPGA技术加速进入更多的应用领域.随着器件复杂性的增加,设计人员需要更加精密复杂的工具,定位于FPGA设计的EDA工具也面临着更大的挑战和机...
  • 作者: 刘德林 张慧 徐志春 成立 李俊 韩庆福
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  629-633
    摘要: 微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要...
  • 作者: 司小江 张波 赵和义 陈万军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  634-637
    摘要: 针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究.该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖峰电场,这是影响器件可靠性的重要因素.针对原器件结构的缺陷,提出了...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  638-639
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  640
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  641-643
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  643-644
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2007年7期
    页码:  插1
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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