半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 姚立华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1053-1057
    摘要: 在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用.InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能.分别介...
  • 作者: 史金飞 张志胜 郑建勇 陈一杲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1058-1061
    摘要: 芯片堆叠封装是提高存储卡类产品存储容量的主流技术之一,采用不同的芯片堆叠方案,可能会产生不同的堆叠效果.针对三种芯片堆叠的初始设计方案进行了分析,指出了堆叠方案失败的原因和不足.结合两种典型...
  • 作者: 冯威 刘健
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1062-1065
    摘要: 射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注.用一种新的键合线匹配功率放大器(PAM)的方法,利用封装寄生参数进行电路匹配设计,消除了...
  • 作者: 张静 徐会武 李学颜 苏明敏 陈国鹰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1066-1069
    摘要: Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中.对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺...
  • 5. 信息
    作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1069,1153
    摘要:
  • 作者: 席俭飞 张方晖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1070-1073
    摘要: 为避免双键合点破坏性拉力实验不易准确的缺陷和剪切力测试不能评价键合点整体特性的缺陷,采用了破坏性单键合点的测试方法.在尽量排除其他干扰因素的情况下,通过实验比较了10种不同平整度条件下细Al...
  • 作者: 王建卫 王水弟 窦新玉 蔡坚
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1074-1077
    摘要: 对陶瓷基板上的集成微电感模型进行了分析.由于陶瓷基板的介电常数比Si基板低,电阻率极高,因此衬底损耗大大减小,从而有效提高了电感的Q值.同时,为了更好进行对比,研究中采用相同工艺在陶瓷基板和...
  • 作者: 任炜星 汪辉 邵一琼
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1078-1081
    摘要: 根据功率多芯片组装模块成品率低的现状,分析比较了芯片级成本和模块总成本随模块中芯片数量和模块成品率而变化的关系,提出了临界成品率的概念.建立了典型的成本模型,得出了临界成品率随芯片数量的变化...
  • 作者: 张志国 顾卫东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1082-1084
    摘要: 利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260 Ω/□,迁移率最大值达到2 130 cm~2V~(-1)s~(-1),方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,...
  • 作者: 娄辰 赵润
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1085-1087
    摘要: 首次报道了一种稳定工作的二次模半导体激光器,该器件具有全新的远场特性.该器件的设计中采用了模式扩展层结构.利用模式扩展层抑制基模,加强二次模,并避免了模式不稳定的问题.使用常规的工艺手段成功...
  • 作者: 刘肃 张荣 李海蓉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1088-1091
    摘要: 描述了静电感应晶闸管(SITH)的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性.从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种重要的物理效应,如电导调制效应、空间电荷效应和复合效应以及...
  • 作者: 刘汉法 张化福 袁玉珍 袁长坤
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1092-1095
    摘要: 利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺钛氧化锌(ZnO:Ti)透明导电薄膜.研究了靶衬间距对ZnO:Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,靶衬间距对ZnO:Ti薄...
  • 作者: 张晓情 李沛林 杨建红 王敬松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1096-1098
    摘要: 采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si_3N_4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命.分析了Si_3N_4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si_...
  • 作者: 吴运新 李战慧 隆志力
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1099-1102
    摘要: 为了减小热超声键合换能系统的振动稳定性、提高键合强度,从超声波在热超声键合换能系统中的传播出发,建立了超声波在接触界面处传播的微观模型.研究表明,当静应力较小时,输出的超声波不完整,材料内部...
  • 作者: 戚其丰 杨立玲 王婷 胡跃明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1103-1106
    摘要: 提出了一种基于小波结构矩的具有平移、旋转、缩放不变性的新型图像识别方法.小波结构矩是在小波矩的基础上通过改变图像函数的结构即几何矩的密度得到的.该算法结合了小波和结构矩的优点,不但实现了对图...
  • 作者: 张鹏程 桂志国 王明泉 韩焱
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1107-1109
    摘要: 研究了基于拉格朗日插值的射线图像增强算法,根据射线图像有偏暗、偏亮和灰度集中在某一范围内三种情况,研究了三阶拉格朗日插值算法;根据输入、输出灰度的变换关系,生成图像灰度变换的查找表.该算法简...
  • 作者: 张荣哲 简维廷 赵永
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1110-1113
    摘要: 对电迁移加速测试模型Black方程中参数的内在物理含义进行了研究,指出参数数值本身代表着电迁移的不同失效机理;对其在不同技术节点的数据进行了系统总结,给出了加速参数随着技术发展的变化趋势与合...
  • 作者: 张启华 简维廷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1114-1117
    摘要: 介绍了非挥发性记忆体产品在进行耐擦写能力测试评估时如何合理地选取样本数的方法.在集成电路的可靠性测试中,样本数通常被理解为样品数,即芯片的颗数.对样本数进行了新的定义,将样本数定义为"芯片颗...
  • 作者: 张万荣 沈珮 胡宁 谢红云 黄毅文 黄璐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1118-1121,1126
    摘要: 选用SiGe HBT作为电路的有源器件,利用基极串联电感L_B与反馈支路、晶体管Miller效应所产生的寄生电容形成的T型匹配网络取得了输入阻抗的良好匹配,并就基极串联电感值对系统群延时的影...
  • 作者: 吴衍 成立 杨宁 王振宇 王改 王鹏程
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1122-1126
    摘要: 为了满足高性能开关电源中集成运放的应用需要,设计了一种结构简单且具有轨对轨输出的运算放大器.该运放基于0.5μm BiCMOS 工艺,采用浮动输出的输入信号适配器(ISAFO),将输入信号放...
  • 作者: 吕世磊 张春
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1127-1130
    摘要: 随着RFID系统在自动识别领域的广泛应用,各种安全问题逐渐显露,对于低成本RFID系统,尽可能降低硬件电路开销是降低成本的关键.选择XTEA算法作为安全验证过程中的加密算法,并将其嵌入ISO...
  • 作者: 卞之 曲春英 潘宇婧 邢诒存 齐臣杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1131-1134
    摘要: 建立了以水为热交换媒介的太阳能热电模块制冷实验系统.系统配置了双位能量存储装置,用以储存昼夜温差能和太阳光电转换电能,以备无日照或日照不足时系统能够连续工作.热电制冷装置模块化,用以适应制冷...
  • 作者: 曾传滨 李多力 海潮和 韩郑生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1135-1139
    摘要: 测试了不同静态栅极触发电压(输入电压)下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压(即将闩锁时的输出电压),发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模...
  • 作者: 李冬梅 王鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1140-1143,1151
    摘要: 提出了一种低电压、低功耗、中等精度的带隙基准源,针对电阻分流结构带隙基准源在低电源电压下应用的不足作出了一定的改进,整体电路结构简单且便于调整,同时尽可能地减少了功耗.该电路采用UMC 0....
  • 作者: 张峥 彭杰 范涛 袁国顺 黄强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1144-1147
    摘要: 提出了一款创新的单级环形振荡电路.该电路通过采用交叉耦合结构,制造额外的极点,使单级放大电路的相位交点总是发生在增益交点之前,此时根据巴克豪森准则,电路在环路相移为180°时增益仍然大于1,...
  • 作者: 向永波 王光明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1148-1151
    摘要: 利用小信号BJT放大器的非线性特性设计了一个有源模拟预失真器.通过调整小信号放大器的偏置状态和对失真信号的提取控制,使功放的三阶互调失真得到了明显的改善.双音实测数据表明,该预失真器使一个G...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1152-1153
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1154-1155
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年11期
    页码:  1155-1156
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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