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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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年度刊次
目录
  • 1. 宽带隙半导体材料光电性能的测试
    作者： 于治国 孟庆芳 张荣 杨国锋 郑有炓 郭媛 陈鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  817-820
    摘要： 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与...
  • 2. GaN薄膜的椭偏光谱研究
    作者： 余养菁 姜伟 康俊勇 张斌恩 李书平 李孔翌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  821-825,865
    摘要： 采用椭圆偏振光谱法,在1.50 ～6.50 eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质.建立GaN表...
  • 3. 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究
    作者： 何金江 江轩 王欣平 董亭义 蒋宇辉 高岩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  826-830
    摘要： 随着半导体技术的发展,芯片特征尺寸缩小到深亚微米和纳米时,铜互连技术在集成电路的设计和制造中成为主流技术,从而对高纯铜靶材的要求越来越高.从靶材制造的角度利用材料学的知识对铜靶材的晶体结构、...
  • 4. GaAs同质外延生长过程的RHEED分析
    作者： 吴卫东 姜帆 孙卫国 张伟斌 熊政伟 王学敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  831-835
    摘要： 采用激光分子束外延方法( L-MBE),在GaAs (001)衬底上同质外延GaAs薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)研究了材料沉积过程中的各级条纹及其强度的变化,进而得出GaAs薄...
  • 5. 300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究
    作者： 刘效岩 刘玉岭 王胜利 田雨 邢少川 马迎姿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  836-839
    摘要： 随着集成电路特征尺寸的减小、低κ介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键.采用法国Alpsitec公司的E460E抛光...
  • 6. 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究
    作者： 赵文魁 马万里
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  840-843,856
    摘要： 沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入.提出几种其他的制...
  • 7. 一种用于角度传感器中的仪表放大器
    作者： 宋益伟 檀柏梅 田雨 赵毅强 马迎姿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  844-847,861
    摘要： 主要设计了一种用于角度传感器系统中的仪表放大器.为了满足角度传感器系统中对信号频率的要求,需要仪表放大器的带宽足够宽能够达到3.3 MHz.该电路采用标准三运算放大器结构电路,以折叠共源共栅...
  • 8. FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现
    作者： 李威 李平 李文昌 杨志明 王鲁豫
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  848-852
    摘要： 在FPGA芯片内,数字时钟管理器(DCM)不可或缺,DCM主要完成去时钟偏移、频率综合和相位调整的功能,其分别由延迟锁相环(DLL)、数字频率合成器(DFS)以及数字相移器(DPS)三个模块...
  • 9. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  852,870,884,889
    摘要：
  • 10. 一种高功率馈线合成器的设计
    作者： 由利人
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  853-856
    摘要： 讨论了一种应用宽边耦合线技术设计和制造的功率合成器,介绍了其基本应用原理和工作模式.以一种L波段的高功率合成器为例,应用计算机CAD技术进行模拟仿真,并将仿真结果与实测结果进行了对比,结果表...
  • 11. 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现
    作者： 刘煜 周丽丽 张其善
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  857-861
    摘要： 针对无线局域网( WLAN)系统中的宽带OFDM信号接收,提出了一种OFDM信号接收电路设计.设计的接收电路主要包括正交下变频电路和全直流耦合驱动电路两个部分,电路采用差分结构,能够有效抑制...
  • 12. 2～18GHz宽带ALC放大器
    作者： 高长征
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  862-865
    摘要： 介绍了自动电平控制( ALC)放大器的工作原理,研究了组成ALC系统的放大器、衰减器及检波器的特性.采用宽带理论和微波仿真软件,设计了一种2～ 18 GHz宽带ALC放大器,并给出了测试结果...
  • 13. 20GHz镜频抑制谐波混频器
    作者： 唐宗熙 赵世巍 郭凡玉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  866-870
    摘要： 镜频抑制混频器能有效地抑制镜像频率,提高雷达和通信系统的抗干扰能力.介绍了一个20 GHz二次谐波镜频抑制混频器的设计与制作,该镜频抑制混频器采用两个相同的二次谐波混频器做为两路混频单元,两...
  • 14. 双极型LDO线性稳压器的设计
    作者： 卢艳 辛伟德
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  871-874,879
    摘要： 在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外.主要针对这...
  • 15. 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究
    作者： 刘木 延红艳 杨升振 范兴明 钟奕 黄知超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  875-879
    摘要： 提出了一种定位全自动LED引线键合机焊点位置的新方法.该方法先用图形处理器(graphic processing unit,GPU)对获取的LED微芯片图像进行基于均值查找的自适应窗口大小的...
  • 16. 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究
    作者： 从羽奇 刘兴杰 张滨海 王家楫 王德峻
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  880-884
    摘要： 由于铜线具有较高的热导率、卓越的电学性能以及较低的成本,被普遍认为将逐渐代替传统的金线而在IC封装的键合工艺中得到广泛的应用.铜线键合工艺中Cu/Al界面金属间化合物(IMC)与金线键合的A...
  • 17. 多线切割张力控制系统研究
    作者： 王学军 王成武 田燕林 贺敬良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  885-889
    摘要： 对多线切割张力控制技术进行论述,分析了多线切割机中张力控制技术的特点,在此基础上,提出了一种多线张力的控制方法.该方法基于对张力信号变化的实时检测,将检测张力的变化转变为电机扭矩的变化,通过...
  • 18. 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估
    作者： 吴志伟 胥小平 陈素鹏 陈衍梁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  890-894
    摘要： 论述了胎压感应器的结构和工作原理,结合胎压感应器的使用环境,分析胎压感应器的使用温度和震动情况.结合汽车电子和半导体行业的相关标准,根据使用情况分析了温度循环、震动对胎压感应器的影响.另外,...
  • 19. 改变驾驶观念,飞思卡尔领先汽车安全、互联和娱乐系统
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2011年11期
    页码:  895-896
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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