宽带隙半导体材料光电性能的测试

• 作者: 于治国 孟庆芳 张荣 杨国锋 郑有炓 郭媛 陈鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 深能级 自由激子 束缚激子 多量子阱 蓝移
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 817-820
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.001

摘要

主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰.在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱；在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升.带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化.