半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 冯志红 房玉龙 王现彬 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  881-892,904
    摘要: N极性GaN材料借助与传统Ga极性GaN极性相反这一特征,以低接触电阻、高2DEG限阈性,在高频、大功率微波晶体管、增强型器件及传感器等应用方面显示出了极大的优势.首先分析了N极性GaN材料...
  • 作者: 刘蕾蕾 张长春 郭宇锋 陈德媛 马庆培
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  893-898
    摘要: 采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一种连续速率时钟与数据恢复(CDR)电路.该CDR电路主要由半速率鉴频鉴相器、多频带环形压控振荡器、电荷泵和判决电路等模块组成.其中,半速率鉴频鉴...
  • 作者: 李富华 阴亚东 陈伟庆
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  899-904
    摘要: 采用中芯国际(SMIC)公司的0.18 μm 1.8 V CMOS工艺设计实现了一款应用于高斯频移键控(GFSK)开环频率调制系统中的数模转换器(DAC)电路.为实现GFSK调制系数可编程,...
  • 作者: 杨卫 江猛 鲁征浩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  905-909,928
    摘要: 以电阻电容充放电正反馈网络为基础,设计了具有固定振荡频率的RC振荡电路,设计中考虑了电源电压和温度变化对振荡频率的影响,进行了优化设计,同时利用低压差稳压器(LDO)消除MOS管的沟道调制效...
  • 作者: 张晓鹏 白元亮 陈凤霞 默立冬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  910-913,923
    摘要: 采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路.分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D) PHEMT正压驱动电路原理.采用...
  • 作者: 刘小文 安振峰 张勇 徐会武 杨瑞霞 袁春生 赵润
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  914-918
    摘要: 为了降低高功率单管半导体激光器的结温、提高器件的可靠性,采用波长漂移法对不同腔长激光器的热阻进行测量,在此基础上,研究了芯片腔长对单管激光器结温和可靠性的影响.实验结果表明,在热沉温度20℃...
  • 作者: 杨大宝 沈林泽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  919-923
    摘要: 基于宽边耦合线理论,设计和制作了一种P波段l kW微波脉冲功率放大器.详细介绍了高功率宽边带状线耦合器功率合成器的设计方法,并对3路功率合成器进行了仿真计算,给出了计算结果.创造性地利用弯曲...
  • 作者: 冯志红 马春雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  924-928
    摘要: 基于AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)中肖特基势垒高度的有效提取对提升器件的性能和稳定性有着重要指导意义,制备了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,并利用光电流谱测试得到了该...
  • 作者: 刘佳 刘玉岭 孙鸣 杨昊鹍 田园 陈蕊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  929-933
    摘要: Al化学机械抛光是实现28 nm高k金属栅器件集成电路的关键制程,采用田口方法设计正交实验,主要研究了碱性抛光液对Al合金抛光特性的作用.围绕抛光液组分进行实验.结果表明,有机胺碱体积分数为...
  • 作者: 刘志国 孙同年 孙聂枫 杨帆 杨瑞霞 王书杰 王阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  934-937,954
    摘要: 采用P注入原位合成液封直拉生长法制备了富磷的3英寸(1英寸=2.54 cm)〈100〉InP单晶锭,对晶体中气孔的形成机理做了初步分析.采用场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表面形貌及...
  • 作者: 冯志红 刘庆彬 李佳 杨霏 芦伟立 蔚翠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  938-941
    摘要: 在偏向〈1120〉晶向8°的半绝缘4H-SiC (0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进...
  • 作者: 张颖
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  942-945
    摘要: 为了克服常规预测方法不能有效诊断及预测引线键合故障等不足,提出了一种基于脉冲电流信号注入的电动汽车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)引线键合故障诊断与预测方法.介绍了引线键合的IGBT原理,详...
  • 作者: 张磊 徐立生 高兆丰 高金环 黄杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  946-948
    摘要: 简要介绍了北美体系(IES)和国际电工协会(IEC)体系中LED光源流明维持寿命评估标准的发展和现状.基于半导体产品可靠性相关知识,对美国照明工程学会201 1年发布的IESTM-21-11...
  • 作者: 吕长志 张小玲 谢雪松 赵利 陈成菊 齐浩淳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  949-954
    摘要: 为了评价晶体管在海洋环境中的耐腐蚀性能,对3DK4C和3DK105B两种晶体管开展了两个盐雾试验的分析和研究.试验Ⅰ从外观腐蚀情况和电学参数退化两个方面对比分析了两种晶体管的耐腐蚀性,并分析...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2013年12期
    页码:  955-956
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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