利用温度无关点计算AlGaN/GaN肖特基势垒高度

• 作者: 冯志红 马春雷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 肖特基势垒高度 温度无关 电流电压 薛定谔泊松方程自洽计算
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 924-928
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.12.008

摘要

基于AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)中肖特基势垒高度的有效提取对提升器件的性能和稳定性有着重要指导意义,制备了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管,并利用光电流谱测试得到了该样品的势垒高度.此外,测试得到该样品的正向变温电流电压(I-V)曲线,发现在正向变温I-V曲线中存在一个温度无关点,低于该点时同一偏压下电流随温度的升高而增大,高于该点时同一偏压下电流随温度的升高而减小.利用温度无关点对应的电压,结合薛定谔泊松方程自洽循环迭代,计算得到AlGaN/GaN肖特基二极管的势垒高度,发现该结果与光电流谱测试的结果非常一致,从而得到一种计算AlGaN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度的新方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯志红		38	81	5.0	5.0
2	马春雷	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	0	0.0	0.0