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半导体技术2014年第2期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器.在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 采用GF 0.18 μm标准CMOS工艺,设计并实现了一种12 bit 20 MS/s流水线模数转换器(ADC).整体架构采用第一级4 bit与1.5 bit/级的相结合的方法.采用改进的增...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 采用混合集成电路工艺,设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器(LNA).优化了限幅电路设计,明显缩小了电路体积.低噪声放大器采用负反馈结构,以改善增益平坦度.采用平衡式结构,提高限幅器的功率容量和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 介绍了一种基于GaAs PHEMT工艺的多功能芯片(MFC)设计.该芯片主要用于双向放大,具有低噪声性能和中等功率能力.综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动,选取合适的器件及其工...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge084层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT) IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工.为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能.通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理.实验结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触.在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2× 10-6Ω·cm2.Ti/Pt与n型4H-S...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.015,0.06和0.24 Pa下制备了不同样品.样品...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 将广泛用于光伏器件的有机材料二胺(NPB)应用到光电器件中,是一种新的提升器件性能的思路.基于NPB材料的空穴传输特性,以3-己基噻吩的聚合物(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)作为活性层...
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13. FPGA工作温升与运行程序的关系刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 现场可编程门阵列(FPGA)的低成本和高度灵活性,使其在嵌入式系统中占据了重要的地位.FPGA的工作温升与运行程序有很强的依赖关系.主要研究了时钟频率和资源利用率两个方面对FPGA工作温升的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 功率循环(PC)试验和温度循环(TC)试验是对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块进行可靠性考核的两个基本试验,可以有效暴露出器件封装所存在的问题.基于ANSYS有限元分析软件,分别研究了IG...
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15. 安防用红外LED的性能和可靠性刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年2期页码:摘要： 安防用红外发光二极管(LED)要求具有更高的辐射功率和更低的功率退化.通过比较不同红外LED芯片材料的性能,设计选用850 nm GaAlAs芯片,以满足安防用红外LED的性能要求.封装材料...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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