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半导体技术2015年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 设计了符合工业无线传感器网络WIA-PA标准的发射机电路.采用中频转换电路控制模拟中频信号的偏置及幅度以满足混频器的输入范围.采用正交双平衡混频器结构进行上变频,通过在固定电容上串联可调电容...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 针对MEMS陀螺,基于四阶机电结合∑△调制器技术设计了一款驱动数字闭环电路.其中电容/电压转换电路(C/V转换电路)采用了开关电容电路.为了降低C/V转换电路的噪声,采用了相关双采样(CDS...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 基于GaAs pin工艺,研制了频率覆盖9.9～ 14.2 GHz的三通道开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片.开关滤波器组由输入/输出pin单刀三掷开关、带通滤波器组和pin开关偏...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 基于0.18tm RF CMOS工艺,采用低中频系统结构,设计了一款可应用于全球定位导航系统(GPS) L1频段和北斗二代(BD2) B1频段的低噪声卫星导航接收机的射频模拟前端芯片.该前端...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 采用垂直互连技术研制了一种X波段上下变频多芯片模块,实现了微波单片集成电路和介质基板在三维微波互连结构中的平稳转换、保证了微波信号的有效传输.简要分析了垂直互连对微波传输的影响和解决方法,应...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同.在深入研究n型纳米非对称DG-TFE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 在空间中,辐射粒子入射半导体器件,会在器件中淀积电荷.这些电荷被器件的敏感区域收集,造成存储器件(如静态随机存储器(SRAM))逻辑状态发生变化,产生单粒子翻转(SEU)效应.蒙特卡洛工具-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管.通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si02和SiaN4薄膜的厚度分别为3...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 针对国内激光脱毛设备的需求,提出了宏通道加传导散热热沉的散热设计,并采用正交实验方法对影响宏通道散热能力的4个关键参数和3个水平进行了结构优化设计.仿真结果表明,对于该模块,本文设计的宏通道...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响.采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 采用PMMA/P (MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌.利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构.通过优化...
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12. GaN纳米线阵列的电子场发射研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 基于HCl辅助热蒸发GaN粉末的方法制备了纯净的一维GaN纳米线垂直阵列,重点研究了不同生长时间对应不同形貌的GaN纳米结构的电子场发射性能,以及氨气氛围下热退火对GaN纳米线阵列场发射性能...
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13. AlN单晶生长热场稳定性模拟刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布.探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对.模拟结果表明,随着晶体厚度的增大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力.为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGa...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要： 在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同...
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16. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2015年8期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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