半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 刘雨鑫 崔现锋 文常保 郑怀仓
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  801-805,827
    摘要: 设计了一种提高固定开关频率DC-DC转换器负载瞬态速度的电路.该电路通过在负载跳变过程中改变开关频率的方式来提高负载瞬态响应速度.在负载电流瞬态变化时,DC-DC输出电压的跳变量通过反馈电压...
  • 作者: 孙子文 韦民
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  806-814
    摘要: 针对目前物理不可克隆函数(PUF)电路的唯一性等安全度量精度不高和功耗过大的问题,通过对PUF的安全度量、可配置环形振荡器物理不可克隆函数(CRO PUF)和电流镜的电路研究,改进了一种基于...
  • 作者: 于国浩 宋亮 张佩佩 张宝顺 张晓东 张辉 徐宁 董志华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  815-822
    摘要: 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散.针对此问题,提出了一种采...
  • 作者: 俞理云 李炳乾 罗明浩 肖龙 陈岩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  823-827
    摘要: 采用不同波长的蓝光发光二极管(LED)芯片,制作了色坐标相同和人眼视觉效果相同的板上芯片(COB)白光LED样品,并分析了人眼视觉差异性产生的原因.研究结果表明,利用不同波长蓝光LED芯片制...
  • 作者: 孟昭亮 杨媛 高勇 高婉迎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  828-832,857
    摘要: 设计了一款半桥结构的焊接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块.模块内部电路整体布局设计为IGBT的正负母线端子在直接覆铜(DBC)板的一端,DBC板的另一端为IGBT的交流输出端,两块DBC...
  • 作者: 孙鹏 柯俊吉 赵志斌 黄华震
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  833-840
    摘要: 电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡.搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响.基于控制变量法的...
  • 作者: 刘玉岭 徐奕 王辰伟 马腾达
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  841-846
    摘要: 研究了阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和过滤器对划伤缺陷的影响.分别采用含不同体积分数JFC的抛光液和三种抛光液循环系统对300 mm铜布线图形片进行阻挡层抛光....
  • 作者: 刘玉岭 徐奕 杨盛华 考政晓 马腾达
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  847-851
    摘要: GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,...
  • 作者: 何彦刚 刘玉岭 张凯 胡轶
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  852-857
    摘要: 针对化学机械抛光(CMP)过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液.分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形...
  • 作者: 丑修建 乔骁骏 穆继亮 耿文平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  858-862
    摘要: 反铁电薄膜因其利用反铁电-铁电相变实现高效能量存储(即高储能密度和高储能效率)成为目前国际上研究热点,然而对其储能行为随温度变化规律研究甚少.系统研究了锆钛酸铅基反铁电薄膜(Pb0.97 L...
  • 作者: 王强文 郭育华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  863-868,875
    摘要: 研究了Pt/Nb∶SrTiO3/In结构器件的异常双极性电阻变换特性,并对其物理机理进行了讨论.用直流磁控溅射的方法在不同组分Nb掺杂SrTiO3 (NSTO) (001)单晶衬底上制备了P...
  • 作者: 刘楠 吉裕晖 孔泽斌 廉鹏飞 陈萝娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  869-875
    摘要: 对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理.通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点.采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端...
  • 作者: 张凯虹 王建超 郭晓宇 韩先虎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年11期
    页码:  876-880
    摘要: 目前模拟开关的漏电流已达到皮安级,而传统的模拟集成电路测试系统的最小测量精度一般为纳安级,无法满足测试要求.研究了基于宏邦T861数模混合集成电路测试系统的皮安级漏电流测试方法.以ADG43...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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