GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制

• 作者: 刘玉岭 徐奕 杨盛华 考政晓 马腾达
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 铜线条剩余厚度 铜去除速率
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 847-851
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.11.008

摘要

GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一.使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ、氧化剂H2O2和抑菌剂BIT条件下对HCu的影响.结果表明,随着FA/OⅡ体积分数的增加,铜的去除速率(vCu)逐渐变大,当其体积分数增至3.5％后,vcu呈略微下降态;加入H2O2可使vCu先迅速地增加,在其体积分数增至1.5％后vCu开始下降.FA/OⅡ型螯合剂、H2O2在低体积分数时对铜均有强去除作用;BIT对铜的抑制作用较大,其体积分数的增加使得vCu不断减小.三者的协同作用实现了对HCu的有效控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
5	考政晓	河北工业大学电子信息工程学院	2	5	1.0	2.0
6	徐奕	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0
10	马腾达	河北工业大学电子信息工程学院	3	3	1.0	1.0
14	杨盛华	河北工业大学电子信息工程学院	1	1	1.0	1.0