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半导体技术2018年第3期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 阐述了一种应用于人机交互领域的手势控制算法和片上系统(SOC)芯片设计.手势控制系统基于单摄像头与主动式红外补光方法,通过目标区域提取和特定姿势识别等核心算法,实现了对各类人机交互手势的高效...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 采用GaAs赝配HEMT单片微波集成电路(MMIC)工艺和堆栈偏置技术设计实现了一款Q波段低噪声放大器(LNA)芯片.该放大器采用4级级联的堆栈偏置拓扑结构,前两级电路在确保较低输入回波损耗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 提出了一种基于微杠杆原理的左右分布式低交叉耦合、高灵敏度的硅微谐振加速度计结构.该结构采用了一级微杠杆放大机构,左右双音叉谐振器和单质量块布局,实现了力放大和差动频率输出,具有结构简单、易于...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在(010) Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)多芯片并联或分立器件并联器件已成为大电流应用的主流方案.为研究SiC MOSFET器件参数分散性对并联器件电流分配的影响,采用变异系数作为...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGeHBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究.首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题.根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电(ESD)、反向浪...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件.衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 为进一步提升n型硅双面太阳电池的转化效率,采用了磷离子注入技术制备n型硅双面太阳电池的背场.基于离子注入技术准直性和均匀性好的特点,掺杂后硅片的表面复合电流密度降低到了1.4×10-13 A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流.研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线.根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 采用电沉积法制备了硒化镉(CdSe)薄膜,讨论了Cd(NO3)2和H2SeO3摩尔比(n(Cd∶Se))、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 使用三氯硅烷(TCS)作为含氯生长源,在多片外延设备生长了高质量的4H-SiC外延材料.研究了原位预刻蚀气体HCl流量和刻蚀时间对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,使用光学显微镜和表面缺陷...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 传统的探针测试会对晶圆产生较大的接触应力,从而给晶圆带来物理性损伤.提出一种基于串扰耦合理论的非接触探头结构,来实现对硅通孔(TSV)裂纹故障的非接触测试.首先在HFSS三维电磁仿真软件中建...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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