半导体技术期刊
出版文献量(篇)
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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5044
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  • 作者: 刘艳珍 孔维民 崔艳霞 李国辉 纪兴启 郝玉英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  401-413,442
    摘要: 有机-无机杂化钙钛矿具有载流子扩散长度长、发光效率高等特点,是一种性能优良的半导体材料,也是一种极具潜力的激光增益介质,受到了光伏、激光等多个领域的广泛关注.概述了利用有机-无机杂化钙钛矿作...
  • 作者: 徐雷钧 白雪 管佳宁 赵不贿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  414-418
    摘要: 提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围隔离,防止外部电路对其影响.在高频结构仿真器(HFSS)下对设计的双...
  • 作者: 安亚宁 徐晨 潘冠中 王秋华 董毅博 解意洋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  419-424
    摘要: 设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分.跨阻放大器采用差分结构,相较于单端...
  • 作者: 张钊锋 杨清山 梅年松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  425-431
    摘要: 经过调制的射频信号整流后会为无源射频识别(RFID)标签引入数万到几十万赫兹的电源纹波.为了抑制这种电源纹波,设计了一款1 MHz带宽内高电源电压抑制比(PSRR)、超低功耗、无片外电容低压...
  • 作者: 张一川 张昇 肖洋 郑英奎 雷天民 魏珂
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  432-436,467
    摘要: 采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用.随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对...
  • 作者: 付兴昌 崔玉兴 张力江 张彤 李献杰 默江辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  437-442
    摘要: 基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950...
  • 作者: 刘辉 张宗敬 张杰 罗卫军 耿苗 雷天民
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  443-448
    摘要: GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路...
  • 作者: 俞跃辉 张栋梁 沈玲燕 程新红 郑理 钱茹 顾子悦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  449-455
    摘要: p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性.对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的...
  • 作者: 熊文文 王勇 王燕 陈俊芳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  456-461
    摘要: 采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si< 100>基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响.用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(...
  • 作者: 冉红锋 王红霞 王蓓 谢海燕 陆锋 颜志强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  462-467
    摘要: 研究了穿透模塑通孔(TMV)结构的叠层封装(POP)热翘曲变形及可靠性.采用云纹干涉的方法测量了回流过程中POP上下层球形矩阵排列(BGA)的热翘曲变形.通过加速热循环(ATC)试验和四点弯...
  • 作者: 刘海涛 刘远飞 李鹏程
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  468-472
    摘要: 为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格(代号为A,B和C)的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flas...
  • 作者: 夏逵亮 张鹏 陈媛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2018年6期
    页码:  473-479
    摘要: 随着3D集成封装的发展,硅通孔(TSV)成为实现3D堆叠中最有前景的技术之一.通过通孔和微凸点实现上下堆叠IC之间的垂直电连接,先进的TSV技术能够满足3D SIP异构集成、高速宽带、小尺寸...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
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