GaN HEMT开关器件小信号模型

• 作者: 刘辉 张宗敬 张杰 罗卫军 耿苗 雷天民
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 开关 小信号模型 本征参数 误差因子
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 443-448
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.06.007

摘要

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型.利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻.对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法.最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷(SPDT)开关电路中检验模型的正确性.结果表明,误差因子E11 =E22＜2.96％,E12 =E21 ＜1.27％,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合.所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张杰	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	268	1793	21.0	28.0
2	刘辉	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	70	395	10.0	17.0
3	罗卫军	中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室	17	35	4.0	5.0
4	耿苗	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	4	1.0	2.0
5	雷天民	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	12	71	5.0	8.0
6	张宗敬	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	1	1.0	1.0