基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片

• 作者: 安亚宁 徐晨 潘冠中 王秋华 董毅博 解意洋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光接收芯片 GaAs E/D PHEMT工艺 单片集成电路(MIC) 跨阻放大器 衰减器
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 419-424
• 页数: 6页
• 分类号: TN43|TN491
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.06.003

摘要

设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分.跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配.使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片.测试结果表明,芯片实现了42 dB的最大增益,在0～3V控制电压下,0～28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz～1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75 Ω,芯片面积1 412 μm×1 207 μm,芯片性能符合设计目标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晨	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	63	295	9.0	13.0
2	解意洋	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	6	19	3.0	4.0
3	安亚宁	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	潘冠中	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	王秋华	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	董毅博	北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0